IRFR1N60APBF-BE3 | Vishay / Siliconix IRFR1N60APBF-BE3 | IRFR1N60APBF-BE3 Inventory, Best Pricing

IRFR1N60APBF-BE3

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRFR1N60APBF-BE3
LIXINC Part #	IRFR1N60APBF-BE3
Valmistaja	Vishay / Siliconix
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRFR1N60APBF-BE3 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 29 - Oct 03 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRFR1N60APBF-BE3 Tekniset tiedot

Osa numero:	IRFR1N60APBF-BE3
Brändi:	Vishay / Siliconix
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Vishay / Siliconix
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	600 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	1.4A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	-
rds päällä (max) @ id, vgs:	7Ohm @ 840mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	14 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	229 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	36W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	D-PAK (TO-252AA)
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63