STW56N65M2-4 | STMicroelectronics STW56N65M2-4 | STW56N65M2-4 Inventory, Best Pricing

STW56N65M2-4

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	STW56N65M2-4
LIXINC Part #	STW56N65M2-4
Valmistaja	STMicroelectronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 650V 49A TO247-4L
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	STW56N65M2-4 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 29 - Oct 03 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

STW56N65M2-4 Tekniset tiedot

Osa numero:	STW56N65M2-4
Brändi:	STMicroelectronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	STMicroelectronics
sarja:	MDmesh™ M2
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	650 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	49A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	62mOhm @ 24.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	93 nC @ 10 V
vgs (max):	±25V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	3900 pF @ 100 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	358W (Tc)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-247-4L
paketti/laukku:	TO-247-4