FDS6673BZ-F085 | Rochester Electronics FDS6673BZ-F085 | FDS6673BZ-F085 Inventory, Best Pricing

FDS6673BZ-F085

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FDS6673BZ-F085
LIXINC Part #	FDS6673BZ-F085
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FDS6673BZ-F085 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 29 - Oct 03 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FDS6673BZ-F085 Tekniset tiedot

Osa numero:	FDS6673BZ-F085
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
paketti:	Bulk
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	14.5A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	7.8mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	124 nC @ 10 V
vgs (max):	±25V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	4.7 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	2.5W (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-SOIC
paketti/laukku:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)