IAUT200N08S5N023ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IAUT200N08S5N023ATMA1 | IAUT200N08S5N023ATMA1 Inventory, Best Pricing

IAUT200N08S5N023ATMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IAUT200N08S5N023ATMA1
LIXINC Part #	IAUT200N08S5N023ATMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IAUT200N08S5N023ATMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 28 - Oct 02 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IAUT200N08S5N023ATMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IAUT200N08S5N023ATMA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	OptiMOS™-5
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	80 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	200A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	6V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	2.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.8V @ 130µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	110 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	7670 pF @ 40 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	200W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PG-HSOF-8-1
paketti/laukku:	8-PowerSFN

PSMN1R8-30BL,118	MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK	856 Lisää tilauksesta
PMF780SN,115	MOSFET N-CH 60V 570MA SOT323-3	120907 Lisää tilauksesta
IPB60R045P7ATMA1	MOSFET N-CH 600V 61A TO263-3-2	976 Lisää tilauksesta
IRFU220PBF	MOSFET N-CH 200V 4.8A TO251AA	3554 Lisää tilauksesta
2SJ254	P-CHANNEL POWER MOSFET	18779 Lisää tilauksesta
IRLU3110ZPBF	MOSFET N-CH 100V 42A IPAK	828 Lisää tilauksesta
IRFU110PBF	MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA	7274 Lisää tilauksesta
NTD5802NT4G	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	1720 Lisää tilauksesta
DMP3008SFGQ-13	MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8	1167 Lisää tilauksesta
AO4425	MOSFET P-CH 38V 14A 8SOIC	108729 Lisää tilauksesta
AUIRFS4115	MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK	4687 Lisää tilauksesta
TPH5900CNH,L1Q	MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP	927 Lisää tilauksesta
SI2315BDS-T1-E3	MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3	118874 Lisää tilauksesta