ISZ0901NLSATMA1 | IR (Infineon Technologies) ISZ0901NLSATMA1 | ISZ0901NLSATMA1 Inventory, Best Pricing

ISZ0901NLSATMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	ISZ0901NLSATMA1
LIXINC Part #	ISZ0901NLSATMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	ISZ0901NLSATMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 27 - Oct 01 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

ISZ0901NLSATMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	ISZ0901NLSATMA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	*
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	-
teknologiaa:	-
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	-
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	-
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	-
rds päällä (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	-
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	-
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	-
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	-
Käyttölämpötila:	-
asennustyyppi:	-
toimittajan laitepaketti:	-
paketti/laukku:	-