IPD70R2K0CEAUMA1 | IR (Infineon Technologies) IPD70R2K0CEAUMA1 | IPD70R2K0CEAUMA1 Inventory, Best Pricing

IPD70R2K0CEAUMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPD70R2K0CEAUMA1
LIXINC Part #	IPD70R2K0CEAUMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPD70R2K0CEAUMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPD70R2K0CEAUMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPD70R2K0CEAUMA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	CoolMOS™
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	700 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	4A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	2Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 70µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	7.8 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	163 pF @ 100 V
fet-ominaisuus:	Super Junction
tehohäviö (max):	42W (Tc)
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PG-TO252-3
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63