HAT2165N-EL-E | Rochester Electronics HAT2165N-EL-E | HAT2165N-EL-E Inventory, Best Pricing

HAT2165N-EL-E

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	HAT2165N-EL-E
LIXINC Part #	HAT2165N-EL-E
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 55A 8LFPAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	HAT2165N-EL-E PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

HAT2165N-EL-E Tekniset tiedot

Osa numero:	HAT2165N-EL-E
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	55A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	-
rds päällä (max) @ id, vgs:	3.6mOhm @ 27.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	33 nC @ 4.5 V
vgs (max):	-
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	5.18 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	30W (Tc)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-LFPAK-iV
paketti/laukku:	8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)