STB6NK60Z-1 | STMicroelectronics STB6NK60Z-1 | STB6NK60Z-1 Inventory, Best Pricing

STB6NK60Z-1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	STB6NK60Z-1
LIXINC Part #	STB6NK60Z-1
Valmistaja	STMicroelectronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	STB6NK60Z-1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 22 - Oct 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

STB6NK60Z-1 Tekniset tiedot

Osa numero:	STB6NK60Z-1
Brändi:	STMicroelectronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	STMicroelectronics
sarja:	SuperMESH™
paketti:	Tube
osan tila:	Not For New Designs
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	600 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	6A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	1.2Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 100µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	46 nC @ 10 V
vgs (max):	30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	905 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	110W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	I2PAK
paketti/laukku:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA