PSMN7R8-120ESQ | Rochester Electronics PSMN7R8-120ESQ | PSMN7R8-120ESQ Inventory, Best Pricing

PSMN7R8-120ESQ

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	PSMN7R8-120ESQ
LIXINC Part #	PSMN7R8-120ESQ
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	PSMN7R8-120ESQ PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 22 - Oct 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

PSMN7R8-120ESQ Tekniset tiedot

Osa numero:	PSMN7R8-120ESQ
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	120 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	70A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	7.9mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	167 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	9.473 pF @ 60 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	349W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	I2PAK
paketti/laukku:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA