AUIRL7766M2TR | Rochester Electronics AUIRL7766M2TR | AUIRL7766M2TR Inventory, Best Pricing

AUIRL7766M2TR

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	AUIRL7766M2TR
LIXINC Part #	AUIRL7766M2TR
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	AUIRL7766M2TR PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 21 - Oct 25 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

AUIRL7766M2TR Tekniset tiedot

Osa numero:	AUIRL7766M2TR
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	HEXFET®
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	100 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	10A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	10mOhm @ 31A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 150µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	66 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±16V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	5.305 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	DIRECTFET™ M4
paketti/laukku:	DirectFET™ Isometric M4