TPH3208PD | Transphorm TPH3208PD | TPH3208PD Inventory, Best Pricing

TPH3208PD

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	TPH3208PD
LIXINC Part #	TPH3208PD
Valmistaja	Transphorm
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	TPH3208PD PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 26 - Sep 30 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

TPH3208PD Tekniset tiedot

Osa numero:	TPH3208PD
Brändi:	Transphorm
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Transphorm
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	GaNFET (Gallium Nitride)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	650 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	20A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	130mOhm @ 13A, 8V
vgs(th) (max) @ id:	2.6V @ 300µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	14 nC @ 8 V
vgs (max):	±18V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	760 pF @ 400 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	96W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-220AB
paketti/laukku:	TO-220-3