NTB095N65S3HF | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTB095N65S3HF

NTB095N65S3HF

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NTB095N65S3HF
LIXINC Part #	NTB095N65S3HF
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 650V 36A D2PAK-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NTB095N65S3HF PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 25 - Sep 29 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NTB095N65S3HF Tekniset tiedot

Osa numero:	NTB095N65S3HF
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	FRFET®, SuperFET® III
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	650 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	36A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	95mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 860µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	66 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2930 pF @ 400 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	272W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	D²PAK-3 (TO-263-3)
paketti/laukku:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB