DMTH6010LPSQ-13 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMTH6010LPSQ-13

DMTH6010LPSQ-13

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	DMTH6010LPSQ-13
LIXINC Part #	DMTH6010LPSQ-13
Valmistaja	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	DMTH6010LPSQ-13 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 25 - Sep 29 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

DMTH6010LPSQ-13 Tekniset tiedot

Osa numero:	DMTH6010LPSQ-13
Brändi:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	13.5A (Ta), 100A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	41.3 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2090 pF @ 30 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	2.6W (Ta), 136W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PowerDI5060-8
paketti/laukku:	8-PowerTDFN