TJ10S04M3L(T6L1,NQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TJ10S04M3L(T6L1,NQ | TJ10S04M3L(T6L1,NQ Inventory, Best Pricing

TJ10S04M3L(T6L1,NQ

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	TJ10S04M3L(T6L1,NQ
LIXINC Part #	TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Valmistaja	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	TJ10S04M3L(T6L1,NQ PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 25 - Sep 29 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

TJ10S04M3L(T6L1,NQ Tekniset tiedot

Osa numero:	TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Brändi:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
sarja:	U-MOSVI
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	40 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	10A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	6V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	44mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	19 nC @ 10 V
vgs (max):	+10V, -20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	930 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	27W (Tc)
Käyttölämpötila:	175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	DPAK+
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD65R600C6BTMA1	COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET	3776 Lisää tilauksesta
IRFB11N50APBF-BE3	MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB	1981 Lisää tilauksesta
IRF7490TRPBF	MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SO	1360 Lisää tilauksesta
FDMS8050	MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN	269296911 Lisää tilauksesta
SCT3160KW7TL	TRANS SJT N-CH 1200V 17A TO263-7	1884 Lisää tilauksesta
SPP80N06S-08	N-CHANNEL POWER MOSFET	2910 Lisää tilauksesta
BSC120N03LSG	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	3018 Lisää tilauksesta
FDMC5614P	MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP	986 Lisää tilauksesta
AUIRFS8408-7TRL	MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK	1079 Lisää tilauksesta
VN0606L-G	MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3	1766 Lisää tilauksesta
NP36N055HLE-AY	N-CHANNEL POWER MOSFET	1806 Lisää tilauksesta
IRFS7734TRLPBF	MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK	1289 Lisää tilauksesta
RT1A045APTCR	MOSFET P-CH 12V 4.5A 8TSST	3914 Lisää tilauksesta