RZM001P02T2L | ROHM Semiconductor RZM001P02T2L | RZM001P02T2L Inventory, Best Pricing

RZM001P02T2L

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	RZM001P02T2L
LIXINC Part #	RZM001P02T2L
Valmistaja	ROHM Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	RZM001P02T2L PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

RZM001P02T2L Tekniset tiedot

Osa numero:	RZM001P02T2L
Brändi:	ROHM Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	ROHM Semiconductor
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	20 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	100mA (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	1.2V, 4.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 100µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±10V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	15 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	150mW (Ta)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	VMT3
paketti/laukku:	SOT-723