RJ1U330AAFRGTL | ROHM Semiconductor RJ1U330AAFRGTL | RJ1U330AAFRGTL Inventory, Best Pricing

RJ1U330AAFRGTL

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	RJ1U330AAFRGTL
LIXINC Part #	RJ1U330AAFRGTL
Valmistaja	ROHM Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 250V 33A LPTS
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	RJ1U330AAFRGTL PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Aug 14 - Aug 18 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

RJ1U330AAFRGTL Tekniset tiedot

Osa numero:	RJ1U330AAFRGTL
Brändi:	ROHM Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	ROHM Semiconductor
sarja:	Automotive, AEC-Q101
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	250 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	33A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	105mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	80 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	4500 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	211W (Tc)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	LPTS
paketti/laukku:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB