TPH3205WSBQA | Transphorm TPH3205WSBQA | TPH3205WSBQA Inventory, Best Pricing

TPH3205WSBQA

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	TPH3205WSBQA
LIXINC Part #	TPH3205WSBQA
Valmistaja	Transphorm
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	TPH3205WSBQA PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 06 - Oct 10 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

TPH3205WSBQA Tekniset tiedot

Osa numero:	TPH3205WSBQA
Brändi:	Transphorm
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Transphorm
sarja:	Automotive, AEC-Q101
paketti:	Tube
osan tila:	Not For New Designs
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	GaNFET (Gallium Nitride)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	650 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	35A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	62mOhm @ 22A, 8V
vgs(th) (max) @ id:	2.6V @ 700µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	42 nC @ 8 V
vgs (max):	±18V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2200 pF @ 400 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	125W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-247-3
paketti/laukku:	TO-247-3