BSZ100N03MSGATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSZ100N03MSGATMA1 | BSZ100N03MSGATMA1 Inventory, Best Pricing

BSZ100N03MSGATMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BSZ100N03MSGATMA1
LIXINC Part #	BSZ100N03MSGATMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BSZ100N03MSGATMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jul 03 - Jul 07 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BSZ100N03MSGATMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	BSZ100N03MSGATMA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	10A (Ta), 40A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	9.1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	23 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1700 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	2.1W (Ta), 30W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PG-TSDSON-8
paketti/laukku:	8-PowerTDFN

TSM60N750CP ROG	MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252	896 Lisää tilauksesta
SIA462DJ-T1-GE3	MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6	1141 Lisää tilauksesta
SISH101DN-T1-GE3	MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK	8315 Lisää tilauksesta
DMP2004TK-7	MOSFET P-CH 20V 430MA SOT523	1044 Lisää tilauksesta
IRFR13N15DTRPBF	MOSFET N-CH 150V 14A DPAK	976 Lisää tilauksesta
MTW24N40E	N-CHANNEL POWER MOSFET	4368 Lisää tilauksesta
BSC022N04LSATMA1	MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6	27861 Lisää tilauksesta
SPA15N60CFDXKSA1	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	1366 Lisää tilauksesta
RU1C001UNTCL	MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F	3163 Lisää tilauksesta
DMT6016LSS-13	MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO	971 Lisää tilauksesta
FDD6670AS	MOSFET N-CH 30V 76A TO252	1375 Lisää tilauksesta
IRLL024ZPBF	MOSFET N-CH 55V 5A SOT223	968 Lisää tilauksesta
IRFZ44RPBF-BE3	MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB	1926 Lisää tilauksesta