HUFA75639S3ST-F085A | Rochester Electronics HUFA75639S3ST-F085A | HUFA75639S3ST-F085A Inventory, Best Pricing

HUFA75639S3ST-F085A

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	HUFA75639S3ST-F085A
LIXINC Part #	HUFA75639S3ST-F085A
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	HUFA75639S3ST-F085A PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jul 01 - Jul 05 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

HUFA75639S3ST-F085A Tekniset tiedot

Osa numero:	HUFA75639S3ST-F085A
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	UltraFET™
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	100 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	56A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	-
rds päällä (max) @ id, vgs:	25mOhm @ 56A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	130 nC @ 20 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2000 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	200W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	D2PAK (TO-263)
paketti/laukku:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB