IPA65R650CEXKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPA65R650CEXKSA1 | IPA65R650CEXKSA1 Inventory, Best Pricing

IPA65R650CEXKSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPA65R650CEXKSA1
LIXINC Part #	IPA65R650CEXKSA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 650V 7A TO220
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPA65R650CEXKSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPA65R650CEXKSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPA65R650CEXKSA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	CoolMOS™ CE
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	650 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	7A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	650mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 210µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	23 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	440 pF @ 100 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	28W (Tc)
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-220 Full Pack
paketti/laukku:	TO-220-3 Full Pack

2SK2701A	MOSFET N-CH 450V 7A TO220F	851 Lisää tilauksesta
TK18A50D(STA4,Q,M)	MOSFET N-CH 500V 18A TO220SIS	875 Lisää tilauksesta
FDB9409L-F085	MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK	815 Lisää tilauksesta
RQ3E130BNTB	MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT	1097 Lisää tilauksesta
DMPH6250S-13	MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23	843 Lisää tilauksesta
2N6759	N-CHANNEL POWER MOSFET	895 Lisää tilauksesta
NTTFS4C50NTWG	MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN	15873 Lisää tilauksesta
SIS444DN-T1-GE3	MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8	894 Lisää tilauksesta
IRFD310	0.4A 400V 3.600 OHM N-CHANNEL	4424 Lisää tilauksesta
IRFH8316TRPBF	MOSFET N-CH 30V 27A/50A TDSON0	4822 Lisää tilauksesta
DMN3053L-13	MOSFET N-CH 30V 4A SOT23	994 Lisää tilauksesta
PSMN025-100D,118	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4	972 Lisää tilauksesta
SUM40012EL-GE3	MOSFET N-CH 40V 150A TO263	1609 Lisää tilauksesta