SIE812DF-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SIE812DF-T1-GE3 | SIE812DF-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIE812DF-T1-GE3

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SIE812DF-T1-GE3
LIXINC Part #	SIE812DF-T1-GE3
Valmistaja	Vishay / Siliconix
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 40V 60A 10POLARPAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SIE812DF-T1-GE3 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SIE812DF-T1-GE3 Tekniset tiedot

Osa numero:	SIE812DF-T1-GE3
Brändi:	Vishay / Siliconix
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Vishay / Siliconix
sarja:	TrenchFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	40 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	60A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	2.6mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	170 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	8300 pF @ 20 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	5.2W (Ta), 125W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	10-PolarPAK® (L)
paketti/laukku:	10-PolarPAK® (L)