IRFD123PBF | Vishay / Siliconix IRFD123PBF | IRFD123PBF Inventory, Best Pricing

IRFD123PBF

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRFD123PBF
LIXINC Part #	IRFD123PBF
Valmistaja	Vishay / Siliconix
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRFD123PBF PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRFD123PBF Tekniset tiedot

Osa numero:	IRFD123PBF
Brändi:	Vishay / Siliconix
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Vishay / Siliconix
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	100 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	1.3A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	270mOhm @ 780mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	16 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	360 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1.3W (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
paketti/laukku:	4-DIP (0.300", 7.62mm)