TK31V60W5,LVQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK31V60W5,LVQ

TK31V60W5,LVQ

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	TK31V60W5,LVQ
LIXINC Part #	TK31V60W5,LVQ
Valmistaja	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	TK31V60W5,LVQ PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

TK31V60W5,LVQ Tekniset tiedot

Osa numero:	TK31V60W5,LVQ
Brändi:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
sarja:	DTMOSIV
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	600 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	30.8A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	109mOhm @ 15.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 1.5mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	105 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	3000 pF @ 300 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	240W (Tc)
Käyttölämpötila:	150°C (TA)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	4-DFN-EP (8x8)
paketti/laukku:	4-VSFN Exposed Pad