BSO080P03NS3GXUMA1 | IR (Infineon Technologies) BSO080P03NS3GXUMA1 | BSO080P03NS3GXUMA1 Inventory, Best Pricing

BSO080P03NS3GXUMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BSO080P03NS3GXUMA1
LIXINC Part #	BSO080P03NS3GXUMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BSO080P03NS3GXUMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BSO080P03NS3GXUMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	BSO080P03NS3GXUMA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	12A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	6V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	8mOhm @ 14.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.1V @ 150µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	81 nC @ 10 V
vgs (max):	±25V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	6750 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1.6W (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PG-DSO-8
paketti/laukku:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)