FQA70N15 | Rochester Electronics FQA70N15 | FQA70N15 Inventory, Best Pricing

FQA70N15

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FQA70N15
LIXINC Part #	FQA70N15
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FQA70N15 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 28 - Oct 02 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FQA70N15 Tekniset tiedot

Osa numero:	FQA70N15
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	QFET®
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	150 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	70A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	28mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	175 nC @ 10 V
vgs (max):	±25V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	5.4 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	330W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-3PN
paketti/laukku:	TO-3P-3, SC-65-3