FDB38N30U | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDB38N30U

FDB38N30U

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FDB38N30U
LIXINC Part #	FDB38N30U
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FDB38N30U PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 28 - Oct 02 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FDB38N30U Tekniset tiedot

Osa numero:	FDB38N30U
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	UniFET™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	300 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	38A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	120mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	73 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	3340 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	313W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	D²PAK
paketti/laukku:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB