RV2C010UNT2L | ROHM Semiconductor RV2C010UNT2L | RV2C010UNT2L Inventory, Best Pricing

RV2C010UNT2L

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	RV2C010UNT2L
LIXINC Part #	RV2C010UNT2L
Valmistaja	ROHM Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	RV2C010UNT2L PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 27 - Oct 01 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

RV2C010UNT2L Tekniset tiedot

Osa numero:	RV2C010UNT2L
Brändi:	ROHM Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	ROHM Semiconductor
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	20 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	1A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	1.2V, 4.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	470mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±8V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	40 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	400mW (Ta)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	DFN1006-3 (VML1006)
paketti/laukku:	SC-101, SOT-883