HUF75637S3S | Rochester Electronics HUF75637S3S | HUF75637S3S Inventory, Best Pricing

HUF75637S3S

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	HUF75637S3S
LIXINC Part #	HUF75637S3S
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	HUF75637S3S PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 27 - Oct 01 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

HUF75637S3S Tekniset tiedot

Osa numero:	HUF75637S3S
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	UltraFET™
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	100 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	44A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	30mOhm @ 44A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	108 nC @ 20 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1.7 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	155W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	D²PAK (TO-263AB)
paketti/laukku:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB