NDPL180N10BG | Rochester Electronics NDPL180N10BG | NDPL180N10BG Inventory, Best Pricing

NDPL180N10BG

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NDPL180N10BG
LIXINC Part #	NDPL180N10BG
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NDPL180N10BG PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 26 - Sep 30 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NDPL180N10BG Tekniset tiedot

Osa numero:	NDPL180N10BG
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	100 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	180A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V, 15V
rds päällä (max) @ id, vgs:	3mOhm @ 15V, 50A
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	95 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	6.95 pF @ 50 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	2.1W (Ta), 200W (Tc)
Käyttölämpötila:	175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-220-3
paketti/laukku:	TO-220-3