TSM80N1R2CP ROG | TSC (Taiwan Semiconductor) TSM80N1R2CP ROG | TSM80N1R2CP ROG Inventory, Best Pricing

TSM80N1R2CP ROG

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	TSM80N1R2CP ROG
LIXINC Part #	TSM80N1R2CP ROG
Valmistaja	TSC (Taiwan Semiconductor)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 800V 5.5A TO252
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	TSM80N1R2CP ROG PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

TSM80N1R2CP ROG Tekniset tiedot

Osa numero:	TSM80N1R2CP ROG
Brändi:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	TSC (Taiwan Semiconductor)
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	800 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	5.5A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	1.2Ohm @ 2.75A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	19.4 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	685 pF @ 100 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	110W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	TO-252, (D-Pak)
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63