TK32E12N1,S1X | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK32E12N1,S1X

TK32E12N1,S1X

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	TK32E12N1,S1X
LIXINC Part #	TK32E12N1,S1X
Valmistaja	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	TK32E12N1,S1X PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jul 03 - Jul 07 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

TK32E12N1,S1X Tekniset tiedot

Osa numero:	TK32E12N1,S1X
Brändi:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
sarja:	U-MOSVIII-H
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	120 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	60A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	13.8mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 500µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	34 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2000 pF @ 60 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	98W (Tc)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-220
paketti/laukku:	TO-220-3