NVTFS4C05NWFTAG | Rochester Electronics NVTFS4C05NWFTAG | NVTFS4C05NWFTAG Inventory, Best Pricing

NVTFS4C05NWFTAG

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NVTFS4C05NWFTAG
LIXINC Part #	NVTFS4C05NWFTAG
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NVTFS4C05NWFTAG PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NVTFS4C05NWFTAG Tekniset tiedot

Osa numero:	NVTFS4C05NWFTAG
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	22A (Ta), 102A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	3.6mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	31 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1.988 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	3.2W (Ta), 68W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-WDFN (3.3x3.3)
paketti/laukku:	8-PowerWDFN