DMP2006UFGQ-13 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMP2006UFGQ-13

DMP2006UFGQ-13

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	DMP2006UFGQ-13
LIXINC Part #	DMP2006UFGQ-13
Valmistaja	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 20V PWRDI3333
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	DMP2006UFGQ-13 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 06 - Oct 10 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

DMP2006UFGQ-13 Tekniset tiedot

Osa numero:	DMP2006UFGQ-13
Brändi:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
sarja:	Automotive, AEC-Q101
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	20 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	17.5A (Ta), 40A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	1.5V, 4.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	5.5mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	200 nC @ 10 V
vgs (max):	±10V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	7500 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	2.3W (Ta), 41W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PowerDI3333-8
paketti/laukku:	8-PowerVDFN