FQI13N06LTU | Rochester Electronics FQI13N06LTU | FQI13N06LTU Inventory, Best Pricing

FQI13N06LTU

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FQI13N06LTU
LIXINC Part #	FQI13N06LTU
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FQI13N06LTU PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jul 05 - Jul 09 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FQI13N06LTU Tekniset tiedot

Osa numero:	FQI13N06LTU
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	QFET®
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	13.6A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	110mOhm @ 6.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	6.4 nC @ 5 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	350 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	3.75W (Ta), 45W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	I2PAK (TO-262)
paketti/laukku:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA