TPW1R306PL,L1Q | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPW1R306PL,L1Q

TPW1R306PL,L1Q

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	TPW1R306PL,L1Q
LIXINC Part #	TPW1R306PL,L1Q
Valmistaja	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	TPW1R306PL,L1Q PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 09 - Oct 13 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

TPW1R306PL,L1Q Tekniset tiedot

Osa numero:	TPW1R306PL,L1Q
Brändi:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
sarja:	U-MOSIX-H
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	260A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	1.29mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	91 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	8100 pF @ 30 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	960mW (Ta), 170W (Tc)
Käyttölämpötila:	175°C
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-DSOP Advance
paketti/laukku:	8-PowerVDFN