IPA60R280C6XKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPA60R280C6XKSA1 | IPA60R280C6XKSA1 Inventory, Best Pricing

IPA60R280C6XKSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPA60R280C6XKSA1
LIXINC Part #	IPA60R280C6XKSA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPA60R280C6XKSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 08 - Oct 12 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPA60R280C6XKSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPA60R280C6XKSA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	CoolMOS™
paketti:	Tube
osan tila:	Not For New Designs
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	600 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	13.8A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	280mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 430µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	43 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	950 pF @ 100 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	32W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	PG-TO220-FP
paketti/laukku:	TO-220-3 Full Pack

SQM50N04-4M0L_GE3	MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO263	902 Lisää tilauksesta
SIHB33N60E-GE3	MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK	3745 Lisää tilauksesta
IRFR010TRPBF	MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK	894 Lisää tilauksesta
CSD25213W10	MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA	18543 Lisää tilauksesta
BUK9M9R5-40HX	MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33	2324 Lisää tilauksesta
R6004KNX	MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM	1334 Lisää tilauksesta
IPD65R660CFD	IPD65R660 - 650V AND 700V COOLMO	1635 Lisää tilauksesta
RCJ081N20TL	MOSFET N-CH 200V 8A LPTS	1878 Lisää tilauksesta
PSMN1R5-30YLC,115	MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56	1187 Lisää tilauksesta
RSD100N10TL	MOSFET N-CH 100V 10A CPT3	846 Lisää tilauksesta
NVMFS5826NLT1G	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6	4577 Lisää tilauksesta
NVMFS4C03NWFT3G	MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN	820 Lisää tilauksesta
NVD14N03RT4G	N-CHANNEL POWER MOSFET	35256 Lisää tilauksesta