IPB180N04S4LH0ATMA1 | Rochester Electronics IPB180N04S4LH0ATMA1 | IPB180N04S4LH0ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB180N04S4LH0ATMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPB180N04S4LH0ATMA1
LIXINC Part #	IPB180N04S4LH0ATMA1
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPB180N04S4LH0ATMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 06 - Oct 10 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPB180N04S4LH0ATMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPB180N04S4LH0ATMA1
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	40 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	180A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 180µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	310 nC @ 10 V
vgs (max):	+20V, -16V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	24.44 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	250W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PG-TO263-7-3
paketti/laukku:	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)