TN0620N3-G-P002 | Roving Networks / Microchip Technology TN0620N3-G-P002

TN0620N3-G-P002

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	TN0620N3-G-P002
LIXINC Part #	TN0620N3-G-P002
Valmistaja	Roving Networks / Microchip Technology
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	TN0620N3-G-P002 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 21 - Sep 25 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

TN0620N3-G-P002 Tekniset tiedot

Osa numero:	TN0620N3-G-P002
Brändi:	Roving Networks / Microchip Technology
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Roving Networks / Microchip Technology
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	200 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	250mA (Tj)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	6Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1.6V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	150 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-92-3
paketti/laukku:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)