PSMN070-200B,118 | Rochester Electronics PSMN070-200B,118 | PSMN070-200B,118 Inventory, Best Pricing

PSMN070-200B,118

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	PSMN070-200B,118
LIXINC Part #	PSMN070-200B,118
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 200V 35A D2PAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	PSMN070-200B,118 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jul 06 - Jul 10 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

PSMN070-200B,118 Tekniset tiedot

Osa numero:	PSMN070-200B,118
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	TrenchMOS™
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	200 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	35A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	-
rds päällä (max) @ id, vgs:	70mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	77 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	4570 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	250W (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	D2PAK
paketti/laukku:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB