MSC080SMA120B | Roving Networks / Microchip Technology MSC080SMA120B

MSC080SMA120B

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	MSC080SMA120B
LIXINC Part #	MSC080SMA120B
Valmistaja	Roving Networks / Microchip Technology
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	SICFET N-CH 1200V 37A TO247-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	MSC080SMA120B PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

MSC080SMA120B Tekniset tiedot

Osa numero:	MSC080SMA120B
Brändi:	Roving Networks / Microchip Technology
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Roving Networks / Microchip Technology
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	SiCFET (Silicon Carbide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	1200 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	37A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	20V
rds päällä (max) @ id, vgs:	100mOhm @ 15A, 20V
vgs(th) (max) @ id:	2.8V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	64 nC @ 20 V
vgs (max):	+23V, -10V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	838 pF @ 1000 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	200W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-247-3
paketti/laukku:	TO-247-3