NTMSD2P102LR2G | Rochester Electronics NTMSD2P102LR2G | NTMSD2P102LR2G Inventory, Best Pricing

NTMSD2P102LR2G

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NTMSD2P102LR2G
LIXINC Part #	NTMSD2P102LR2G
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOIC
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NTMSD2P102LR2G PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 29 - Oct 03 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NTMSD2P102LR2G Tekniset tiedot

Osa numero:	NTMSD2P102LR2G
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	FETKY™
paketti:	Bulk
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	20 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	2.3A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	2.5V, 4.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	90mOhm @ 2.4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	18 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±10V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	750 pF @ 16 V
fet-ominaisuus:	Schottky Diode (Isolated)
tehohäviö (max):	710mW (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-SOIC
paketti/laukku:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)