NTLUS3A18PZTBG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTLUS3A18PZTBG

NTLUS3A18PZTBG

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NTLUS3A18PZTBG
LIXINC Part #	NTLUS3A18PZTBG
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NTLUS3A18PZTBG PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NTLUS3A18PZTBG Tekniset tiedot

Osa numero:	NTLUS3A18PZTBG
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	µCool™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	20 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	5.1A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	1.5V, 4.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	18mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	28 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±8V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2240 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	700mW (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	6-UDFN (2x2)
paketti/laukku:	6-UDFN Exposed Pad