IPD900P06NMATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPD900P06NMATMA1 | IPD900P06NMATMA1 Inventory, Best Pricing

IPD900P06NMATMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPD900P06NMATMA1
LIXINC Part #	IPD900P06NMATMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPD900P06NMATMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPD900P06NMATMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPD900P06NMATMA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	16.4A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	90mOhm @ 16.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 710µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	27 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1100 pF @ 30 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	63W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PG-TO252-3-313
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63