IRFH5406TRPBF | Rochester Electronics IRFH5406TRPBF | IRFH5406TRPBF Inventory, Best Pricing

IRFH5406TRPBF

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IRFH5406TRPBF
LIXINC Part #	IRFH5406TRPBF
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	IRFH5406 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IRFH5406TRPBF PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IRFH5406TRPBF Tekniset tiedot

Osa numero:	IRFH5406TRPBF
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	HEXFET®
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	11A (Ta), 40A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	14.4mOhm @ 24A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 50µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	35 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1.256 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	3.6W (Ta), 46W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-PQFN (5x6)
paketti/laukku:	8-PowerVDFN