NVHL082N65S3F | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVHL082N65S3F

NVHL082N65S3F

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	NVHL082N65S3F
LIXINC Part #	NVHL082N65S3F
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	NVHL082N65S3F PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 21 - Sep 25 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

NVHL082N65S3F Tekniset tiedot

Osa numero:	NVHL082N65S3F
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET®
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	650 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	40A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	82mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 4mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	81 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	3410 pF @ 400 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	313W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-247-3
paketti/laukku:	TO-247-3