RSJ10HN06TL | ROHM Semiconductor RSJ10HN06TL | RSJ10HN06TL Inventory, Best Pricing

RSJ10HN06TL

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	RSJ10HN06TL
LIXINC Part #	RSJ10HN06TL
Valmistaja	ROHM Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	RSJ10HN06TL PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jul 01 - Jul 05 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

RSJ10HN06TL Tekniset tiedot

Osa numero:	RSJ10HN06TL
Brändi:	ROHM Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	ROHM Semiconductor
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	100A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	4.2mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	202 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	11000 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	100W (Tc)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	LPTS
paketti/laukku:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB