BSB044N08NN3GXUMA1 | IR (Infineon Technologies) BSB044N08NN3GXUMA1 | BSB044N08NN3GXUMA1 Inventory, Best Pricing

BSB044N08NN3GXUMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BSB044N08NN3GXUMA1
LIXINC Part #	BSB044N08NN3GXUMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BSB044N08NN3GXUMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BSB044N08NN3GXUMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	BSB044N08NN3GXUMA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	80 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	18A (Ta), 90A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	4.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 97µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	73 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	5700 pF @ 40 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	2.2W (Ta), 78W (Tc)
Käyttölämpötila:	-40°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	MG-WDSON-2, CanPAK M™
paketti/laukku:	3-WDSON