VN0109N3-G | Roving Networks / Microchip Technology VN0109N3-G

VN0109N3-G

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	VN0109N3-G
LIXINC Part #	VN0109N3-G
Valmistaja	Roving Networks / Microchip Technology
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 90V 350MA TO92-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	VN0109N3-G PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 25 - Sep 29 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

VN0109N3-G Tekniset tiedot

Osa numero:	VN0109N3-G
Brändi:	Roving Networks / Microchip Technology
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Roving Networks / Microchip Technology
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	90 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	350mA (Tj)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	3Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.4V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	65 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-92-3
paketti/laukku:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)