IPD80R1K0CEBTMA1 | Rochester Electronics IPD80R1K0CEBTMA1 | IPD80R1K0CEBTMA1 Inventory, Best Pricing

IPD80R1K0CEBTMA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPD80R1K0CEBTMA1
LIXINC Part #	IPD80R1K0CEBTMA1
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPD80R1K0CEBTMA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 25 - Sep 29 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPD80R1K0CEBTMA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPD80R1K0CEBTMA1
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	CoolMOS™
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	800 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	5.7A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	950mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.9V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	31 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	785 pF @ 100 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	83W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	TO-252-3
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63