HUF76629D3S | Rochester Electronics HUF76629D3S | HUF76629D3S Inventory, Best Pricing

HUF76629D3S

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	HUF76629D3S
LIXINC Part #	HUF76629D3S
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	HUF76629D3S PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 07 - Oct 11 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

HUF76629D3S Tekniset tiedot

Osa numero:	HUF76629D3S
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	UltraFET™
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	100 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	20A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	-
rds päällä (max) @ id, vgs:	52mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	46 nC @ 10 V
vgs (max):	±16V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1285 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	110W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	TO-252AA
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63